MOS场效应管

MOS场效应管

屏蔽栅沟槽型场效应管


屏蔽栅场效应晶体管(shieldedgatetrench,SGT),由于其具有较低的栅漏电容cgd、很低的导通电阻、以及较高的耐压性能,进而更有利于半导体集成电路的灵活应用。具体而言,在屏蔽栅场效应晶体管中,通过在栅电极的下方设置屏蔽电极,从而可以大幅降低了栅漏电容,并且屏蔽栅场效应晶体管的漂流区中还具有较高的杂质载流子浓度,能够为器件的击穿电压提供额外的益处,相应的可以降低导通电阻。
内容详情

规格书.PDF灰色的为不可下载文件,红色的为可下载文件。

Part   No. Type ESD Vds Vgs Id Vth Rds(on) Package PDF 
Max Max Max Min Typ Max Vgs=10V Vgs=4.5V
V ±V A V V V
AN20N01ST0 S-N N 100 ±20 74 1.2 2 2.5 6.4 7.7 9.2 11 PDFN5×6-8L

PDF Download

AN02N08SL0 S-N
N 80 ±20 150
2 4 2 2.8 PDFNWB5×6-8L

PDF Download

AN03N10VL0 S-N N 100
±20 3.3 1 1.6 2.5 95 130 135 190 SOT-23

PDF Download

AN11212LT0 S-N N 100 ±20 120 2 4 3.7 4.5 TO-220

PDF Download

AN030N10LL0 S-N N 100 ±20 195 2 3 4 3 3.6 TO-220C

PDF Download

AN037N10LL0 S-N N 100 ±25 160 2 3 4 3.7 4.2 TO-220-3L-C

PDF Download

AN125N10FL0 S-N N 100 ±20 40 1.2 1.8 2.5 12.5 15 17 22 TO-252-2L

PDF Download

AN100N10FL0 S-N N 100 ±20 53 1.5 2.0 2.5 10 14 14 18 TO-252-2L

PDF Download

AN080N10FL0 S-N N 100 ±20 65 1.2 2.0 2.8 8 9.5 10.0 14 TO-252-2L

PDF Download

AN037N10ML0 S-N N 100 ±25 160 2 3 4 3.7 4.2 TO-263-2L

PDF Download

AN017N10XL0 S-N N 100 ±20 300 2 3 4 1.7 2.2 TOLL-7L

PDF Download

Copyright © 深圳市信源电子有限公司All rights reserved.    粤ICP备14068986号